IXKR47N60C5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXKR47N60C5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXKR47N60C5 MOSFET
IXKR47N60C5 Datasheet (PDF)
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History: AP98T07GP-HF | IXTA90N055T2 | DMN2170U-7 | DMN2028UFDH | AON7432
History: AP98T07GP-HF | IXTA90N055T2 | DMN2170U-7 | DMN2028UFDH | AON7432



Liste
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