IXTA110N055T Todos los transistores

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IXTA110N055T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTA110N055T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 230 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 110 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 70 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.007 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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IXTA110N055T Datasheet (PDF)

1.1. ixta110n055p ixtp110n055p ixtq110n055p.pdf Size:254K _ixys

IXTA110N055T
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IXTA 110N055P VDSS = 55 V PolarHTTM IXTP 110N055P ID25 = 110 A Power MOSFET IXTQ 110N055P RDS(on) ? 13.5 m? ? ? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G S VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V (TAB) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M? 55 V VGS Continuous 20 V TO-220 (IXTP) VGSM Tranisent 30 V ID25 TC = 25 C 110

1.2. ixta110n055t7.pdf Size:198K _ixys

IXTA110N055T
IXTA110N055T

Preliminary Technical Information VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTA110N055T7 ID25 = 110 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 7.0 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M? 55 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25 C 110 A 7 IDM TC = 25 C, puls

1.3. ixta110n055t ixtp110n055t.pdf Size:216K _ixys

IXTA110N055T
IXTA110N055T

Preliminary Technical Information IXTA110N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP110N055T ID25 = 110 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 7.0 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M? 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 TC = 25 C 110 A ILRMS Lead Cur

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