IXTA110N055T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTA110N055T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTA110N055T2

IXTA110N055T2 Datasheet (PDF)

2.1. Size:216K ixys
ixta110n055t ixtp110n055t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTA110N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP110N055T ID25 = 110 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC

2.2. Size:198K ixys
ixta110n055t7.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 55 VTrenchMVTMIXTA110N055T7ID25 = 110 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25 C

3.1. Size:254K ixys
ixta110n055p ixtp110n055p ixtq110n055p.pdf

IXTA 110N055P VDSS = 55 VPolarHTTMIXTP 110N055P ID25 = 110 APower MOSFETIXTQ 110N055P RDS(on) 13.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C55 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Tranise

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Liste

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