IXTA180N10T Todos los transistores

 

IXTA180N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTA180N10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTA180N10T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTA180N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  ixys
 ixta180n10t ixtp180n10t.pdf pdf_icon

IXTA180N10T

IXTA180N10T VDSS = 100VTrenchMVTMIXTP180N10T ID25 = 180APower MOSFET RDS(on) 6.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 180 AILRMS Lead Cur

 0.1. Size:197K  ixys
 ixta180n10t7.pdf pdf_icon

IXTA180N10T

PreliminaryTechnical InformationVDSS = 100 VIXTA180N10T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25

 6.1. Size:197K  ixys
 ixta180n085t7.pdf pdf_icon

IXTA180N10T

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA180N085T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 6.2. Size:108K  ixys
 ixta180n055t ixtp180n055t ixtq180n055t.pdf pdf_icon

IXTA180N10T

Advance Technical InformationIXTQ 180N055T VDSS = 55 VTrench GateIXTA 180N055T ID25 = 180 APower MOSFETIXTP 180N055T RDS(on) = 4.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 180 AIDRM

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXTA160N075T7 , IXTA160N085T , IXTA160N10T , IXTA160N10T7 , IXTA16N50P , IXTA170N075T2 , IXTA180N085T , IXTA180N085T7 , IRF520 , IXTA180N10T7 , IXTA182N055T , IXTA182N055T7 , IXTA18P10T , IXTA1N100P , IXTA1N120P , IXTA1N80 , IXTA1N80P .

 

 
Back to Top

 


 
.