3SK131 Todos los transistores

 

3SK131 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK131
   Código: V11_V12_V13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.025 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143
 

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3SK131 Datasheet (PDF)

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DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR3SK135ARF AMP. FOR UHF TV TUNERN-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR4PIN MINI MOLDPACKAGE DIMENSIONSFEATURESin millimeters Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.+0.2 Low Crss : 0.02 pF TYP.2.80.3 +0.2 High Gps : 18 dB TYP. 1.50.1 Low NF : 2.7 dB TYP.+0.1 ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.3. Size:69K  1
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