IXTA4N80P Todos los transistores

 

IXTA4N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTA4N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IXTA4N80P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:196K  ixys
ixta4n150hv.pdf pdf_icon

IXTA4N80P

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 8.2. Size:238K  ixys
ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTA4N80P

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 8.3. Size:313K  ixys
ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf pdf_icon

IXTA4N80P

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

 8.4. Size:141K  ixys
ixta4n60p ixtp4n60p ixtu4n60p ixty4n60p.pdf pdf_icon

IXTA4N80P

IXTA4N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTP4N60P ID25 = 4 APower MOSFETIXTU4N60P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeIXTY4N60PAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V

Otros transistores... IXTA3N60P , IXTA42N15T , IXTA42N25P , IXTA44P15T , IXTA460P2 , IXTA48N20T , IXTA48P05T , IXTA4N60P , 8205A , IXTA50N20P , IXTA50N25T , IXTA50N28T , IXTA52P10P , IXTA56N15T , IXTA5N50P , IXTA5N60P , IXTA60N10T .

 

 
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