IXTC180N085T Todos los transistores

 

IXTC180N085T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTC180N085T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTC180N085T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:186K  ixys
 ixtc110n25t.pdf pdf_icon

IXTC180N085T

Trench Gate VDSS = 250VIXTC110N25TPower MOSFET ID25 = 50A RDS(on) 27m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS220 (IXTC)Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Transient 30 VD

 9.2. Size:187K  ixys
 ixtc160n10t.pdf pdf_icon

IXTC180N085T

Preliminary Technical InformationIXTC160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMID25 = 83 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N80G-TM3-R | H02N60I | AP9563GK | HM4612 | CHM9424JGP | KPCF8402 | P9515BD

 

 
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