IXTC75N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTC75N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS220

 Búsqueda de reemplazo de IXTC75N10 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTC75N10 datasheet

No DATA!

Otros transistores... IXTC220N075T, IXTC230N085T, IXTC240N055T, IXTC250N075T, IXTC26N50P, IXTC280N055T, IXTC36P15P, IXTC62N15P, IRF830, IXTC96N25T, IXTD110N25T-8W, IXTE250N10, IXTF03N400, IXTF1N250, IXTF1N400, IXTF200N10T, IXTF230N085T