IXTF200N10T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTF200N10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: ISOPLUS I4PAK
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IXTF200N10T datasheet
ixtf250n075t.pdf
Advance Technical Information VDSS = 75 V IXTF250N075T TrenchMVTM ID25 = 140 A Power MOSFET 4.4 RDS(on) 4.4 m 4.4 4.4 4.4 (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75
ixtf230n085t.pdf
Advance Technical Information VDSS = 85 V IXTF230N085T TrenchMVTM ID25 = 130 A Power MOSFET RDS(on) 5.3 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Tran
ixtf280n055t.pdf
Advance Technical Information VDSS = 55 V IXTF280N055T TrenchMVTM ID25 = 160 A Power MOSFET RDS(on) 4.0 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) VDSS TJ = 25 C to 175 C 55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V VGSM Transie
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History: IXKP20N60C5 | IXFX80N60P3
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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