IXTF230N085T Todos los transistores

 

IXTF230N085T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTF230N085T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS I4PAK
 

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IXTF230N085T datasheet

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IXTF230N085T

Advance Technical Information VDSS = 85 V IXTF230N085T TrenchMVTM ID25 = 130 A Power MOSFET RDS(on) 5.3 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Tran

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IXTF230N085T

Advance Technical Information VDSS = 75 V IXTF250N075T TrenchMVTM ID25 = 140 A Power MOSFET 4.4 RDS(on) 4.4 m 4.4 4.4 4.4 (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75

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IXTF230N085T

Advance Technical Information VDSS = 55 V IXTF280N055T TrenchMVTM ID25 = 160 A Power MOSFET RDS(on) 4.0 m (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF) VDSS TJ = 25 C to 175 C 55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V VGSM Transie

Otros transistores... IXTC75N10 , IXTC96N25T , IXTD110N25T-8W , IXTE250N10 , IXTF03N400 , IXTF1N250 , IXTF1N400 , IXTF200N10T , MMIS60R580P , IXTF250N075T , IXTF280N055T , IXTH02N250 , IXTH03N400 , IXTH102N15T , IXTH102N20T , IXTH10N100D , IXTH10N100D2 .

History: SSW2N60A | MMBFJ310

 

 
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