3SK137 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK137
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.035 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 70 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT143
Búsqueda de reemplazo de 3SK137 MOSFET
3SK137 Datasheet (PDF)
3sk135a.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR3SK135ARF AMP. FOR UHF TV TUNERN-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR4PIN MINI MOLDPACKAGE DIMENSIONSFEATURESin millimeters Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.+0.2 Low Crss : 0.02 pF TYP.2.80.3 +0.2 High Gps : 18 dB TYP. 1.50.1 Low NF : 2.7 dB TYP.+0.1 ABSOLUTE MAXIMUM RATI
Otros transistores... 3SK131 , 3SK132 , 3SK132A , 3SK133 , 3SK133A , 3SK134B , 3SK135A , 3SK136 , AO3407 , 3SK137V , 3SK138 , 3SK139P , 3SK139Q , 3SK141 , 3SK143O , 3SK142P , 3SK142Q .
History: IRFP044N | RZR040P01 | SI4812DY | KP501V | FDD8580-6 | SM3117NSU | SSF4N60
History: IRFP044N | RZR040P01 | SI4812DY | KP501V | FDD8580-6 | SM3117NSU | SSF4N60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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