3SK141 Todos los transistores

 

3SK141 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK141
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 13 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143
 

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3SK141 Datasheet (PDF)

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3SK141

Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Mainten

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3SK141

High Frequency FETs 3SK1433SK143Silicon N-Channel 4-pin MOSUnit : mmFor UHF high-gain low-noise amplification+0.22.8 0.3+0.20.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF)0.5R4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertionby taping/magazine packing are available.3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

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History: IRFZ48ZLPBF | NP82N055KLE | BUK9K5R1-30E | CEU6336 | APT12067JFLL | FDD8453LZ-F085

 

 
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