IXTK120N25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTK120N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXTK120N25 datasheet

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IXTK120N25

VDSS = 250 V IXTK 120N25P PolarHTTM ID25 = 120 A Power MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXTK) VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 120 A G D (TAB) ID(RMS

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IXTK120N25

IXTK 120N20P PolarHTTM VDSS = 200 V IXTQ 120N20P Power MOSFET ID25 = 120 A RDS(on) 22 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 V G VGS Continuous 20 V D (TAB) S VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25

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IXTK120N25

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTK120N65X2 Power MOSFET ID25 = 120A IXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264P (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS Continuous 30 V PLUS247 (IX

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