IXTK200N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTK200N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 800 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 240 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTK200N10P

IXTK200N10P Datasheet (PDF)

..1. Size:162K ixys
ixtk200n10p.pdf

VDSS = 100 VIXTK 200N10PPolarHTTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 200 AD(TAB)SID

8.1. Size:129K ixys
ixtk20n150 ixtx20n150.pdf

High Voltage PowerVDSS = 1500VIXTK20N150MOSFETs w/ ExtendedID25 = 20AIXTX20N150FBSOARDS(on)

9.1. Size:560K ixys
ixtk250n10.pdf

IXTK 250N10 VDSS = 100 VHigh CurrentID25 = 250 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 5 mN-Channel Enhancement ModeSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264 AA (IXTK)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C MOSFET chip capability 250 ADID(RMS) Externa

9.2. Size:179K ixys
ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 100VIXTK210P10TPower MOSFETs ID25 = - 210AIXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C -100 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

9.3. Size:137K ixys
ixtk21n100 ixtn21n100.pdf

IXTK 21N100 VDSS = 1000 VHigh VoltageIXTN 21N100 ID25 = 21 AMegaMOSTMFETsRDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement ModeTO-264 AA (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXTK IXTNVDSS TJ = 25C to 150C 1000 1000 VGD (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 1000 VSVGS Continuous 20 20 VminiBLOC, SOT-227 BVGSM Transient 30

Otros transistores... IXTK150N15P , IXTK160N20 , IXTK170N10P , IXTK170P10P , IXTK17N120L , IXTK180N15 , IXTK180N15P , IXTK200N10L2 , STP75NF75 , IXTK20N140 , IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: