IXTK200N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTK200N10P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 800 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de IXTK200N10P MOSFET
IXTK200N10P Datasheet (PDF)
ixtk200n10p.pdf

VDSS = 100 VIXTK 200N10PPolarHTTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 200 AD(TAB)SID
ixtk20n150 ixtx20n150.pdf

High Voltage PowerVDSS = 1500VIXTK20N150MOSFETs w/ ExtendedID25 = 20AIXTX20N150FBSOARDS(on)
ixtk250n10.pdf

IXTK 250N10 VDSS = 100 VHigh CurrentID25 = 250 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 5 mN-Channel Enhancement ModeSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264 AA (IXTK)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C MOSFET chip capability 250 ADID(RMS) Externa
ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 100VIXTK210P10TPower MOSFETs ID25 = - 210AIXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C -100 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS
Otros transistores... IXTK150N15P , IXTK160N20 , IXTK170N10P , IXTK170P10P , IXTK17N120L , IXTK180N15 , IXTK180N15P , IXTK200N10L2 , 2SK3878 , IXTK20N140 , IXTK22N100L , IXTK250N10 , IXTK32P60P , IXTK34N80 , IXTK40P50P , IXTK46N50L , IXTK550N055T2 .
History: CET4301 | H7N1004LS | CEB140N10 | ME7636 | IXFH15N100Q | SHD225409 | IPD06N03LBG
History: CET4301 | H7N1004LS | CEB140N10 | ME7636 | IXFH15N100Q | SHD225409 | IPD06N03LBG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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