IXTK200N10P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTK200N10P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 800 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXTK200N10P datasheet

 ..1. Size:162K  ixys
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IXTK200N10P

VDSS = 100 V IXTK 200N10P PolarHTTM ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXTK) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G ID25 TC = 25 C 200 A D (TAB) S ID

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IXTK200N10P

High Voltage Power VDSS = 1500V IXTK20N150 MOSFETs w/ Extended ID25 = 20A IXTX20N150 FBSOA RDS(on)

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IXTK200N10P

IXTK 250N10 VDSS = 100 V High Current ID25 = 250 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 5 m N-Channel Enhancement Mode Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AA (IXTK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 100 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G ID25 TC = 25 C MOSFET chip capability 250 A D ID(RMS) Externa

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IXTK200N10P

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 100V IXTK210P10T Power MOSFETs ID25 = - 210A IXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

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