IXTK8N150L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTK8N150L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1700 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTK8N150L

IXTK8N150L Datasheet (PDF)

9.1. Size:324K ixys
ixth88n30p ixtk88n30p ixtt88n30p ixtq88n30p.pdf

IXTH 88N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTK 88N30P ID25 = 88 APower MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)GDVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VTO-264 (IXTK)

9.2. Size:159K ixys
ixtt82n25p ixtq82n25p ixtk82n25p.pdf

VDSS = 250VIXTT82N25PPolarTMID25 = 82AIXTQ82N25PPower MOSFET RDS(on) 38m IXTK82N25PTO-268 (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VTO-3P( IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Transient

9.3. Size:294K ixys
ixtk82n25p ixtq82n25p ixtt82n25p.pdf

IXTK 82N25P VDSS = 250 VPolarHTTMIXTQ 82N25P ID25 = 82 APower MOSFET IXTT 82N25P RDS(on) 35 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25

9.4. Size:365K ixys
ixth88n30p ixtk88n30p ixtq88n30p ixtt88n30p.pdf

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Liste

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