IXTL2x240N055T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTL2x240N055T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 170 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm

Encapsulados: ISOPLUSI5PAK

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IXTL2x240N055T datasheet

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IXTL2x240N055T

Advance Technical Information IXTL2x240N055T VDSS =55 V TrenchMVTM ID25 = 2x140 A Power MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated RG RG ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RG

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IXTL2x240N055T

Advance Technical Information TrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 V ID25 = 2x120 A Power MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode RG RG Avalanche Rated ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; R

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IXTL2x240N055T

Advance Technical Information TrenchMVTM IXTL2x200N085T VDSS = 85 V ID25 = 2x112 A Power MOSFETs RDS(on) 6.0 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode RG RG Avalanche Rated ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C;

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IXTL2x240N055T

Advance Technical Information TrenchMVTM IXTL2x180N10T VDSS = 100 V ID25 = 2x100 A Power MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode RG RG ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) Avalanche Rated S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175

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