IXTN110N20L2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTN110N20L2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 735 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 420 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SOT227

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTN110N20L2 datasheet

 ..1. Size:170K  ixys
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IXTN110N20L2

Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 200V IXTN110N20L2 MOSFET w/Extended ID25 = 100A 24m FBSOA RDS(on) N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V VGSS Co

 9.1. Size:126K  ixys
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IXTN110N20L2

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTN102N65X2 Power MOSFET ID25 = 76A RDS(on) 30m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated miniBLOC Fast Intrinsic Diode E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS Continuous 30 V D VG

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IXTN110N20L2

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 200V IXTN120P20T Power MOSFETs ID25 = - 106A RDS(on) 30m trr 300ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated miniBLOC Fast Intrinsic Rectifier E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C - 200 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M -

Otros transistores... IXTK8N150L, IXTK90N15, IXTK90N25L2, IXTK90P20P, IXTL2x180N10T, IXTL2x200N085T, IXTL2x220N075T, IXTL2x240N055T, AON6380, IXTN120N25, IXTN170P10P, IXTN17N120L, IXTN200N10L2, IXTN200N10T, IXTN22N100L, IXTN30N100L, IXTN320N10T