IXTN170P10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTN170P10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 240 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 176 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTN170P10P

IXTN170P10P Datasheet (PDF)

9.1. Size:170K ixys
ixtn110n20l2.pdf

Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 200V IXTN110N20L2 MOSFET w/Extended ID25 = 100A 24m FBSOA RDS(on) N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VVGSS Co

9.2. Size:126K ixys
ixtn102n65x2.pdf

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTN102N65X2Power MOSFET ID25 = 76A RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOCFast Intrinsic DiodeE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Continuous 30 VDVG

9.3. Size:177K ixys
ixtn120p20t.pdf

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTN120P20TPower MOSFETs ID25 = - 106A RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOCFast Intrinsic RectifierE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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