3SK16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK16
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de 3SK16 MOSFET
3SK16 Datasheet (PDF)
3sk169p 3sk169q.pdf

/eccle stage.dneaunniettnnioacsmaintenance typeplaned maintenance typeMidiscontinued typeplaned discontinued typedDhttp://panasonic.net/sc/enMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecyPlease visit following URL about latest information.Request for your special attention and precautions in using the technical i
Otros transistores... 3SK142Q , 3SK143P , 3SK143Q , 3SK144Q , 3SK144R , 3SK15 , 3SK156 , 3SK15A , 50N06 , 3SK162 , 3SK169P , 3SK169Q , 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , 3SK180 , 3SK180-4 .
History: 3SK137 | IRFP044N | FDD8580-6 | KP501V | RZR040P01 | SSF4N60 | SI4812DY
History: 3SK137 | IRFP044N | FDD8580-6 | KP501V | RZR040P01 | SSF4N60 | SI4812DY



Liste
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MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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