IXTP05N100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP05N100  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 710 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 17 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de IXTP05N100 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTP05N100 datasheet

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IXTP05N100

Preliminary Technical Information Depletion Mode VDSX = 1000V IXTY08N100D2 MOSFET ID(on) > 800mA IXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2 N-Channel TO-252 (IXTY) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 AA (IXTA) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G S PD TC = 25 C60 W D (Tab) TJ -

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IXTP05N100

Depletion Mode VDSX = 1000V IXTY08N100D2 MOSFET ID(on) > 800mA IXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2 N-Channel D TO-252 (IXTY) G S G D (Tab) S TO-263 AA (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V S D (Tab) VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V TO-220AB (IXTP) PD TC = 25 C60 W TJ

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IXTP05N100

IXTP 01N100D VDSS = 1000 V High Voltage MOSFET IXTU 01N100D ID25 = 100 mA N-Channel, Depletion Mode IXTY 01N100D RDS(on) = 110 Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S IDSS TC = 25 C; TJ = 25 C to

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IXTP05N100

IXTP 02N50D VDSS = 500 V High Voltage MOSFET IXTU 02N50D ID25 = 200 mA N-Channel, Depletion Mode IXTY 02N50D RDS(on) = 30 Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSX TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGX TJ = 25 C to 150 C 500 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V G D S IDSS TC = 25 C; TJ = 25 C to 150 C

Otros transistores... IXTN60N50L2, IXTN62N50L, IXTN8N150L, IXTN90N25L2, IXTN90P20P, IXTP01N100D, IXTP02N120P, IXTP02N50D, STF13NM60N, IXTP05N100M, IXTP05N100P, IXTP06N120P, IXTP08N100D2, IXTP08N100P, IXTP08N120P, IXTP08N50D2, IXTP100N04T2