IXTP05N100P Todos los transistores

 

IXTP05N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP05N100P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 750 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTP05N100P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTP05N100P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:177K  ixys
 ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTP05N100P

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -

 9.2. Size:270K  ixys
 ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTP05N100P

Depletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelDTO-252 (IXTY)GSGD (Tab)STO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VSD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C60 WTJ

 9.3. Size:94K  ixys
 ixtp01n100d ixtu01n100d ixty01n100d.pdf pdf_icon

IXTP05N100P

IXTP 01N100DVDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTU 01N100DID25 = 100 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 01N100DRDS(on) = 110 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to

 9.4. Size:94K  ixys
 ixtp02n50d ixtu02n50d ixty02n50d.pdf pdf_icon

IXTP05N100P

IXTP 02N50DVDSS = 500 VHigh Voltage MOSFETIXTU 02N50DID25 = 200 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 02N50DRDS(on) = 30 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVDGX TJ = 25C to 150C 500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VGDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to 150C

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXTN8N150L , IXTN90N25L2 , IXTN90P20P , IXTP01N100D , IXTP02N120P , IXTP02N50D , IXTP05N100 , IXTP05N100M , IRF830 , IXTP06N120P , IXTP08N100D2 , IXTP08N100P , IXTP08N120P , IXTP08N50D2 , IXTP100N04T2 , IXTP102N15T , IXTP10N60P .

History: BUK7528-55A

 

 
Back to Top

 


 
.