3SK169Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK169Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 43 Ohm
Paquete / Cubierta: MINI-TYPE
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK169Q
3SK169Q Datasheet (PDF)
3sk169p 3sk169q.pdf
/eccle stage.dneaunniettnnioacsmaintenance typeplaned maintenance typeMidiscontinued typeplaned discontinued typedDhttp://panasonic.net/sc/enMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecyPlease visit following URL about latest information.Request for your special attention and precautions in using the technical i
Otros transistores... 3SK144Q , 3SK144R , 3SK15 , 3SK156 , 3SK15A , 3SK16 , 3SK162 , 3SK169P , IRF640 , 3SK17 , 3SK171 , 3SK179 , 3SK180 , 3SK180-4 , 3SK180-5 , 3SK180-6 , 3SK181 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918