3SK169Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3SK169Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 43 Ohm

Encapsulados: MINI-TYPE

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3SK169Q datasheet

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3SK169Q

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3SK169Q

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