IXTP2N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP2N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 800 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXTP2N100 datasheet

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IXTP2N100

High Voltage VDSS = 1000 V IXTA 2N100 MOSFET ID25 = 2 A IXTP 2N100 RDS(on) = 7 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C2 A IDM TC = 25 C, pulse width limited by

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IXTP2N100

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IXTP2N100

VDSS = 800 V High Voltage MOSFET IXTA 2N80 ID25 = 2 A IXTP 2N80 RDS(on) = 6.2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID25 TC = 25 C2 A

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IXTP2N100

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY2N65X2 Power MOSFET ID25 = 2A IXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V TO-220 (IXTP) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient

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