IXTP32P05T Todos los transistores

 

IXTP32P05T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP32P05T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXTP32P05T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:130K  ixys
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IXTP32P05T

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTP32N65XMPower MOSFET ID25 = 14A RDS(on) 135m N-Channel Enhancement ModeOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Continuous 30 VG = Gate D = DrainVGSM Transient 40 VS = S

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ixth32n65x ixtp32n65x ixtq32n65x.pdf pdf_icon

IXTP32P05T

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTP32N65XPower MOSFET ID25 = 32AIXTQ32N65X RDS(on) 135m IXTH32N65XN-Channel Enhancement ModeTO-220AB (IXTP)GD TabSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGVGSS Continuous 30 V

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ixta3n50p ixtp3n50p ixty3n50p.pdf pdf_icon

IXTP32P05T

IXTA 3N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 3N50P ID25 = 3.6 APower MOSFET IXTY 3N50P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS 30 VVGSM 40 V(TAB)GDSID25 TC = 25 C 3.6 AIDM

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ixta3n50d2-ixtp3n50d2.pdf pdf_icon

IXTP32P05T

Depletion Mode VDSX = 500VIXTA3N50D2MOSFET ID(on) > 3AIXTP3N50D2 RDS(on) 1.5 N-ChannelTO-263 AA (IXTA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSX TJ = 25C to 150C 500 VD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C 125 WTJ - 55 ... +150 CTJM 150 CTstg - 55 ... +150 CGDD (Tab)

Otros transistores... IXTP2N100 , IXTP2N100P , IXTP2N60P , IXTP2N80P , IXTP2R4N120P , IXTP2R4N50P , IXTP300N04T2 , IXTP32N20T , 4435 , IXTP32P20T , IXTP36N30P , IXTP36P15P , IXTP3N100D2 , IXTP3N100P , IXTP3N110 , IXTP3N120 , IXTP3N50D2 .

 

 
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