IXTP3N120 Todos los transistores

 

IXTP3N120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP3N120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 700 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXTP3N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  ixys
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IXTP3N120

VDSS ID25 RDS(on)High VoltageIXTA 3N120Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 V DSID25 TC = 25C3 AIDM TC =

 ..2. Size:175K  ixys
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IXTP3N120

High Voltage VDSS = 1200VIXTA3N120Power MOSFET ID25 = 3AIXTP3N120 RDS(on) 4.5 IXTH3N120N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1200 VVGSS Continuous

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IXTP3N120

IXTA3N100P VDSS = 1000VPolar VHVTMIXTH3N100P ID25 = 3APower MOSFET IXTP3N100P RDS(on) 4.8 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)

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IXTP3N120

IXTA 3N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 3N50P ID25 = 3.6 APower MOSFET IXTY 3N50P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS 30 VVGSM 40 V(TAB)GDSID25 TC = 25 C 3.6 AIDM

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