IXTP42N15T Todos los transistores

 

IXTP42N15T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP42N15T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXTP42N15T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:252K  ixys
 ixta42n25p ixtp42n25p ixtq42n25p.pdf pdf_icon

IXTP42N15T

IXTA 42N25P VDSS = 250 VPolarHTTMIXTP 42N25P ID25 = 42 APower MOSFET IXTQ 42N25P RDS(on) 84 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 V (TAB)VGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient 3

 9.1. Size:238K  ixys
 ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTP42N15T

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 9.2. Size:154K  ixys
 ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdf pdf_icon

IXTP42N15T

PolarP2TM VDSS = 500VIXTA460P2ID25 = 24APower MOSFETIXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2N-Channel Enhancement Modetrr(typ) = 400nsAvalanche Rated IXTH460P2Fast Intrinsic DiodeTO-220AB (IXTP)TO-263 AA (IXTA)TO-3P (IXTQ)GGS DGD SD (Tab)D (Tab) SD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V

 9.3. Size:313K  ixys
 ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf pdf_icon

IXTP42N15T

X2-Class VDSS = 650VIXTY4N65X2Power MOSFET ID25 = 4AIXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVGSM Transient 40 VSID25 TC

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History: SFP9520

 

 
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