IXTP42N25P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP42N25P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de IXTP42N25P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTP42N25P datasheet

 ..1. Size:252K  ixys
 ixta42n25p ixtp42n25p ixtq42n25p.pdf pdf_icon

IXTP42N25P

IXTA 42N25P VDSS = 250 V PolarHTTM IXTP 42N25P ID25 = 42 A Power MOSFET IXTQ 42N25P RDS(on) 84 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 V (TAB) VGS Continuous 20 V TO-220 (IXTP) VGSM Transient 3

 9.1. Size:238K  ixys
 ixta4n65x2 ixtp4n65x2 ixty4n65x2.pdf pdf_icon

IXTP42N25P

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G

 9.2. Size:154K  ixys
 ixta460p2-ixtp460p2-ixtq460p2-ixth460p2.pdf pdf_icon

IXTP42N25P

PolarP2TM VDSS = 500V IXTA460P2 ID25 = 24A Power MOSFET IXTP460P2 RDS(on) 270m IXTQ460P2 N-Channel Enhancement Mode trr(typ) = 400ns Avalanche Rated IXTH460P2 Fast Intrinsic Diode TO-220AB (IXTP) TO-263 AA (IXTA) TO-3P (IXTQ) G G S D G D S D (Tab) D (Tab) S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V

 9.3. Size:313K  ixys
 ixty4n65x2 ixta4n65x2 ixtp4n65x2.pdf pdf_icon

IXTP42N25P

X2-Class VDSS = 650V IXTY4N65X2 Power MOSFET ID25 = 4A IXTA4N65X2 RDS(on) 850m IXTP4N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40 V S ID25 TC

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXTP3N100D2, IXTP3N100P, IXTP3N110, IXTP3N120, IXTP3N50D2, IXTP3N50P, IXTP3N60P, IXTP42N15T, BS170, IXTP44N10T, IXTP44P15T, IXTP450P2, IXTP460P2, IXTP48N20T, IXTP48P05T, IXTP4N60P, IXTP4N80P