IXTP6N100D2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP6N100D2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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IXTP6N100D2 Datasheet (PDF)

1.1. ixta6n100d2-ixtp6n100d2-ixth6n100d2.pdf Size:184K _ixys

Preliminary Technical Information Depletion Mode VDSX = 1000V IXTA6N100D2 MOSFET ID(on) > 6A IXTP6N100D2 ? ? RDS(on) ? 2.2? ? ? ? ? ? ? IXTH6N100D2 N-Channel TO-263 AA (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSX TJ = 25�C to 150�C 1000 V VGSX Continuous �20 V VGSM Transient �30 V PD TC = 25�C 300 W G D D (Tab) TJ - 55 ... +150 �C S TJM 1

4.1. ixtm6n60 ixtm6n60a ixtp6n60 ixtp6n60a.pdf Size:63K _ixys

4.2. ixta6n50d2 ixtp6n50d2 ixth6n50d2.pdf Size:206K _ixys

Preliminary Technical Information Depletion Mode VDSX = 500V IXTA6N50D2 MOSFET ID(on) > 6A IXTP6N50D2 ≤ Ω RDS(on) ≤ 500mΩ ≤ Ω ≤ Ω ≤ Ω IXTH6N50D2 N-Channel TO-263 AA (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSX TJ = 25°C to 150°C 500 V VGSX Continuous ±20 V VGSM Transient ±30 V PD TC = 25°C 300 W G D D (Tab) TJ - 55 .

4.3. ixta6n50p ixtp6n50p.pdf Size:229K _ixys

VDSS = 500 V IXTA 6N50P PolarHVTM ID25 = 6 A IXTP 6N50P Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 1.1 ? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25� C to 150� C 500 V VDGR TJ = 25� C to 150� C; RGS = 1 M? 500 V VGSS Continuous � 30 V G S VGSM Transient � 40 V (TAB) ID25 TC = 25� C6 A IDM TC = 25� C, pulse width li

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: