IXTP76N25T Todos los transistores

 

IXTP76N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP76N25T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 148 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXTP76N25T Datasheet (PDF)

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IXTP76N25T

Preliminary Technical InformationIXTA76N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP76N075T ID25 = 76 APower MOSFET RDS(on) 12 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C76 A

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 ixta75n10p ixtp75n10p ixtq75n10p.pdf pdf_icon

IXTP76N25T

IXTA 75N10P VDSS = 100 VPolarHTTMIXTP 75N10P ID25 = 75 APower MOSFETIXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient

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 ixtm7n45 ixtm7n45a ixtm7n50 ixtm7n50a ixtp7n45 ixtp7n45a ixtp7n50 ixtp7n50a.pdf pdf_icon

IXTP76N25T

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 ixta7n60p ixtp7n60p.pdf pdf_icon

IXTP76N25T

VDSS = 600 VIXTA 7N60PPolarHVTMID25 = 7 AIXTP 7N60PPower MOSFET RDS(on) 1.1 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 175 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 V(TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25 C7 A

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History: STD120N4F6 | IPP80N06S2-05 | SSM85T03GJ | ZXMP10A16K | STD10NM60N | STP20NE06L | HYG065N15NS1B

 

 
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