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2N6782JANTX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6782JANTX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6782JANTX

 

Principales características: 2N6782JANTX

 8.1. Size:102K  1
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2N6782JANTX

 8.2. Size:131K  international rectifier
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2N6782JANTX

PD - 90423C IRFF110 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6782 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6782 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/556 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF110 100V .60 3.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

 8.3. Size:23K  semelab
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2N6782JANTX

2N6782 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL 8.89 (0.35) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) POWER MOSFET 8.51 (0.335) 4.19 (0.165) 4.95 (0.195) 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) APPLICATIONS 7.75 (0.305) min. 8.51 (0.335) dia. FAST SWITCHING MOTOR CONTROLS 5.08 (0.200) typ. POWER SUPPLIES 2.54 2 (0.100) 1 3 0.66 (0.026) 1.14 (0.045) 0.71 (0.028)

 8.4. Size:96K  microsemi
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2N6782JANTX

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/556 DEVICES LEVELS JAN 2N6782 2N6782U JANTX JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltag

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History: IRFZ44ZS | IRFZ44Z

 

 
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