3SK181-5 Todos los transistores

 

3SK181-5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK181-5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143
     - Selección de transistores por parámetros

 

3SK181-5 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:474K  1
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3SK181-5

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 3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdf pdf_icon

3SK181-5

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3SK181-5

3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15

 9.3. Size:177K  sanyo
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3SK181-5

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History: STS2305 | WNM4002 | DMN4010LFG | BSC025N03MS | AP9990GMT-HF | FQA7N90M | AP01N40H-HF

 

 
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