IXTQ30N50P Todos los transistores

 

IXTQ30N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTQ30N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTQ30N50P

 

Principales características: IXTQ30N50P

 ..1. Size:336K  ixys
ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf pdf_icon

IXTQ30N50P

VDSS = 500 V IXTH 30N50P PolarHVTM ID25 = 30 A IXTQ 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50P N-Channel Enhancement Mode IXTV 30N50P Avalanche Rated IXTV 30N50PS TO-247 AD (IXTH) (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuo

 5.1. Size:142K  ixys
ixth30n50l2-ixtq30n50l2-ixtt30n50l2.pdf pdf_icon

IXTQ30N50P

IXTH30N50L2 VDSS = 500V Linear L2TM Power IXTQ30N50L2 ID25 = 30A MOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOA D D D D O D O N-Channel Enhancement Mode TO-247 (IXTH) RGi w w G O O (TAB) S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-3P (IXTQ) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continu

Otros transistores... IXTQ24N55Q , IXTQ250N075T , IXTQ26N50P , IXTQ26N60P , IXTQ26P20P , IXTQ280N055T , IXTQ30N50L , IXTQ30N50L2 , AON6380 , IXTQ30N60L2 , IXTQ30N60P , IXTQ32P20T , IXTQ36N30P , IXTQ36N50P , IXTQ36P15P , IXTQ40N50L2 , IXTQ40N50Q .

History: DHS400N10D | DHS042N15E | DTG018N04N | NCEP0160F

 

 
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