IXTQ50N28T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTQ50N28T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 340 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 280 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 87 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTQ50N28T

IXTQ50N28T Datasheet (PDF)

6.1. Size:230K ixys
ixta50n25t ixtq50n25t ixtp50n25t ixth50n25t.pdf

IXTA50N25T IXTQ50N25TTrench Gate VDSS = 250VIXTP50N25T IXTH50N25TID25 = 50APower MOSFET RDS(on) 60m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP) TO-3P (IXTQ)G GDSSGD (Tab)DD (Tab) D (Tab)STO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

9.1. Size:186K ixys
ixta52p10p ixtp52p10p ixtq52p10p ixth52p10p.pdf

PolarPTM VDSS = - 100VIXTA52P10PID25 = - 52APower MOSFETsIXTP52P10P RDS(on) 50m IXTQ52P10PP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedIXTH52P10PTO-3P (IXTQ)TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP)DGGGSDG SSD (Tab)D D (Tab)S TabSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 2

9.2. Size:168K ixys
ixtq52n30p ixtt52n30p.pdf

IXTQ52N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT52N30P ID25 = 52 APower MOSFET RDS(on) 66 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C52 AD(TAB)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: