IXTQ74N20P Todos los transistores

 

IXTQ74N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTQ74N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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IXTQ74N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ixys
 ixtq74n20p ixtt74n20p.pdf pdf_icon

IXTQ74N20P

IXTQ 74N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTT 74N20P ID25 = 74 APower MOSFET RDS(on) 34 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C74 A(TAB

 9.1. Size:252K  ixys
 ixta75n10p ixtp75n10p ixtq75n10p.pdf pdf_icon

IXTQ74N20P

IXTA 75N10P VDSS = 100 VPolarHTTMIXTP 75N10P ID25 = 75 APower MOSFETIXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient

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History: VS3625GEMC | BUZ100

 

 
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