IXTQ96N20P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTQ96N20P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TO3P

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IXTQ96N20P datasheet

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IXTQ96N20P

IXTH 96N20P VDSS = 200 V PolarHTTM IXTQ 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 (IXTH) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V S (TAB) VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGSS Continous 20 V TO-3P (IXTQ) VGSM Transient

 ..2. Size:239K  ixys
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IXTQ96N20P

IXTH 96N20P VDSS = 200 V PolarHTTM IXTQ 96N20P ID25 = 96 A Power MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 (IXTH) Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V S (TAB) VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGSS Continous 20 V TO-3P (IXTQ) VGSM Transient

 7.1. Size:170K  ixys
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IXTQ96N20P

IXTQ 96N15P VDSS = 150 V PolarHTTM IXTT 96N15P ID25 = 96 A Power MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 150 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C96 A G D (TAB)

Otros transistores... IXTQ76N25T, IXTQ82N25P, IXTQ86N20T, IXTQ86N25T, IXTQ88N28T, IXTQ88N30P, IXTQ90N15T, IXTQ96N15P, IRFB7545, IXTQ96N25T, IXTR16P60P, IXTR170P10P, IXTR200N10P, IXTR20P50P, IXTR30N25, IXTR32P60P, IXTR36P15P