IXTQ96N20P Todos los transistores

 

IXTQ96N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTQ96N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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IXTQ96N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
 ixth96n20p ixtt96n20p ixtq96n20p.pdf pdf_icon

IXTQ96N20P

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

 ..2. Size:239K  ixys
 ixth96n20p ixtq96n20p ixtt96n20p.pdf pdf_icon

IXTQ96N20P

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

 7.1. Size:170K  ixys
 ixtq96n15p ixtt96n15p.pdf pdf_icon

IXTQ96N20P

IXTQ 96N15P VDSS = 150 VPolarHTTMIXTT 96N15P ID25 = 96 APower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 150 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25 C96 A GD(TAB)

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History: STD9N65M2 | OSG60R260PF | WFP2N60 | IPB09N03LA | QM14N65F | 2SK2299N | SGSP322

 

 
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