IXTR90P20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTR90P20P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 315 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
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IXTR90P20P Datasheet (PDF)
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History: RFM04U6P | FQI9N08LTU | STD11NM50N | VBM1402 | WML11N70SR | CEF14N5
History: RFM04U6P | FQI9N08LTU | STD11NM50N | VBM1402 | WML11N70SR | CEF14N5



Liste
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