IXTT30N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTT30N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTT30N50P

IXTT30N50P Datasheet (PDF)

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ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf

VDSS = 500 VIXTH 30N50PPolarHVTMID25 = 30 AIXTQ 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50PN-Channel Enhancement ModeIXTV 30N50PAvalanche RatedIXTV 30N50PSTO-247 AD (IXTH)(TAB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo

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IXTH30N50L2 VDSS = 500VLinear L2TM PowerIXTQ30N50L2 ID25 = 30AMOSFET with extended IXTT30N50L2 RDS(on) 200m FBSOADDDDO DON-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)RGiwwG OO(TAB)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continu

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IXTH 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ 30N60P ID25 = 30 APower MOSFET IXTT 30N60P RDS(on) 240 m N-Channel Enhancement ModeIXTV 30N60PAvalanche RatedIXTV 30N60PSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Transient

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Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: