IXTV26N60PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTV26N60PS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS220SMD
Búsqueda de reemplazo de IXTV26N60PS MOSFET
IXTV26N60PS Datasheet (PDF)
ixtt26n60p ixtv26n60p ixtv26n60ps ixth26n60p ixtq26n60p.pdf

IXTH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXTT26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV26N60PAvalanche RatedTO-247 (IXTH)IXTV26N60PSGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tran
ixtq26n50p ixtt26n50p ixtv26n50p.pdf

IXTQ 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTT 26N50P ID25 = 26 APower MOSFET IXTV 26N50P RDS(on) 230 m IXTV 26N50PSN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VDS D (TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VTO-268 (IXTT)VGSS Continuos 30 V
ixtv230n085ts.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTV230N085TTrenchMVTMID25 = 230 AIXTV230N085TSPower MOSFET RDS(on) 4.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S
ixtv250n075t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTV250N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTV250N075TS ID25 = 250 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SSM3J118TU | FDC6318P | IRFW450 | NTD4810N | STH15N50 | ATP103
History: SSM3J118TU | FDC6318P | IRFW450 | NTD4810N | STH15N50 | ATP103



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
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