IXTV280N055TS Todos los transistores

 

IXTV280N055TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTV280N055TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 550 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMD
 

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IXTV280N055TS Datasheet (PDF)

 2.1. Size:295K  ixys
ixtv280n055t.pdf pdf_icon

IXTV280N055TS

Preliminary Technical InformationIXTV 280N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTV 280N055TS ID25 = 280 APower MOSFET RDS(on) 3.2 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)

 9.1. Size:230K  ixys
ixtt26n60p ixtv26n60p ixtv26n60ps ixth26n60p ixtq26n60p.pdf pdf_icon

IXTV280N055TS

IXTH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXTT26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV26N60PAvalanche RatedTO-247 (IXTH)IXTV26N60PSGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tran

 9.2. Size:294K  ixys
ixtv230n085ts.pdf pdf_icon

IXTV280N055TS

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTV230N085TTrenchMVTMID25 = 230 AIXTV230N085TSPower MOSFET RDS(on) 4.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

 9.3. Size:294K  ixys
ixtv250n075t.pdf pdf_icon

IXTV280N055TS

Preliminary Technical InformationIXTV250N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTV250N075TS ID25 = 250 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HUF75337P3 | IXTV86N25T | IRFI3205 | HUF75337S3S

 

 
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