IXTX8N150L Todos los transistores

 

IXTX8N150L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTX8N150L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1700 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros