IXTY1N100P Todos los transistores

 

IXTY1N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTY1N100P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 750 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IXTY1N100P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:123K  ixys
 ixty1n120p.pdf pdf_icon

IXTY1N100P

PolarTM VDSS = 1200VIXTY1N120PPower MOSFETs ID25 = 1AIXTA1N120P RDS(on) 20 IXTP1N120PTO-252 (IXTY)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic RectifierSD (Tab)TO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1200 VSVGSS Continuous 2

 8.1. Size:60K  ixys
 ixta1n80 ixtp1n80 ixty1n80.pdf pdf_icon

IXTY1N100P

IXTA 1N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTP 1N80ID25 = 750 mAIXTY 1N80N-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 11 Avalanche Energy RatedPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VD (TAB)VGS Continuous 20 VGDSVGSM Transient 30 VID25 T

 8.2. Size:161K  ixys
 ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf pdf_icon

IXTY1N100P

Preliminary Technical InformationVDSS = 800VIXTA1N80PPolarTM PowerID25 = 1AIXTP1N80PMOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80PIXTY1N80PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU)GG(TAB)(TAB)(TAB)S G DDSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVD

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History: SSF2316E | TPCP8106 | FIR20N60FG | VS3640DE

 

 
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