IXTY1N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTY1N100P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 750 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTY1N100P

IXTY1N100P Datasheet (PDF)

7.1. Size:123K ixys
ixty1n120p.pdf

PolarTM VDSS = 1200VIXTY1N120PPower MOSFETs ID25 = 1AIXTA1N120P RDS(on) 20 IXTP1N120PTO-252 (IXTY)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic RectifierSD (Tab)TO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1200 VSVGSS Continuous 2

8.1. Size:60K ixys
ixta1n80 ixtp1n80 ixty1n80.pdf

IXTA 1N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTP 1N80ID25 = 750 mAIXTY 1N80N-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 11 Avalanche Energy RatedPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VD (TAB)VGS Continuous 20 VGDSVGSM Transient 30 VID25 T

8.2. Size:161K ixys
ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 800VIXTA1N80PPolarTM PowerID25 = 1AIXTP1N80PMOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80PIXTY1N80PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU)GG(TAB)(TAB)(TAB)S G DDSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVD

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: