IXTY32P05T Todos los transistores

 

IXTY32P05T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTY32P05T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IXTY32P05T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:237K  ixys
 ixta3n50p ixtp3n50p ixty3n50p.pdf pdf_icon

IXTY32P05T

IXTA 3N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 3N50P ID25 = 3.6 APower MOSFET IXTY 3N50P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS 30 VVGSM 40 V(TAB)GDSID25 TC = 25 C 3.6 AIDM

 9.2. Size:228K  ixys
 ixta3n60p ixtp3n60p ixty3n60p.pdf pdf_icon

IXTY32P05T

IXTA 3N60PVDSS = 600 VPolarHVTMIXTP 3N60PID25 = 3.0 APower MOSFETIXTY 3N60P RDS(on) 2.9 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 T

Otros transistores... IXTY1R6N100D2 , IXTY1R6N50D2 , IXTY1R6N50P , IXTY26P10T , IXTY2N100P , IXTY2N60P , IXTY2N80P , IXTY2R4N50P , 4N60 , IXTY3N50P , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P .

History: TSM55N03CP | IPP60R165CP

 

 
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