IXTY5N50P Todos los transistores

 

IXTY5N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTY5N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252AA
 

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IXTY5N50P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:171K  ixys
 ixtp50n085t ixty50n085t.pdf pdf_icon

IXTY5N50P

Preliminary Technical InformationIXTP50N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTY50N085T ID25 = 50 APower MOSFET RDS(on) 23 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 V

 9.2. Size:169K  ixys
 ixtp55n075t ixty55n075t.pdf pdf_icon

IXTY5N50P

Preliminary Technical InformationIXTP55N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTY55N075T ID25 = 55 APower MOSFET RDS(on) 19.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V

Otros transistores... IXTY32P05T , IXTY3N50P , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IRFP250 , IXTY64N055T , IXTZ550N055T2 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F .

History: FDD6N50TF | IRFU420B | 2SJ125

 

 
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