IXUV170N075S Todos los transistores

 

IXUV170N075S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXUV170N075S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 175 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMD
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros