VMK165-007T Todos los transistores

 

VMK165-007T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VMK165-007T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 165 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO240AA
 

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VMK165-007T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  ixys
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VMK165-007T

Advanced Technical InformationVDSS = 70 VVMK 165-007TDual PowerID25 = 165 AMOSFET ModuleRDS(on) = 7 mW4 5 1 2 3 6 7Common-Source connectedN-Channel Enhancement ModeSymbol Conditions Maximum Ratings TO-240 AAE 72873VDSS TJ = 25C to 150C70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 6.8 kW 70 V632 714VGS Continuous 20 V5VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C

Otros transistores... FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 , MMIX1T550N055T2 , MMIX1T600N04T2 , VBH40-05B , VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , CS150N03A8 , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F .

History: FDC653N | STK14N06 | SIF7N80C | SDD03N04 | SIHG25N50E | 2SJ306 | STK18N05

 

 
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