VMK165-007T Todos los transistores

 

VMK165-007T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VMK165-007T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 165 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO240AA
 

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VMK165-007T datasheet

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VMK165-007T

Advanced Technical Information VDSS = 70 V VMK 165-007T Dual Power ID25 = 165 A MOSFET Module RDS(on) = 7 mW 4 5 1 2 3 6 7 Common-Source connected N-Channel Enhancement Mode Symbol Conditions Maximum Ratings TO-240 AA E 72873 VDSS TJ = 25 C to 150 C70 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 6.8 kW 70 V 6 3 2 7 1 4 VGS Continuous 20 V 5 VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C

Otros transistores... FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 , MMIX1T550N055T2 , MMIX1T600N04T2 , VBH40-05B , VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , IRF520 , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F .

History: MMIX1T600N04T2

 

 

 


 
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