VMM1500-0075X2 Todos los transistores

 

VMM1500-0075X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VMM1500-0075X2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1560 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1950 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 880 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00038 Ohm
   Paquete / Cubierta: Y3LI
 

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VMM1500-0075X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  ixys
 vmm1500-0075x2.pdf pdf_icon

VMM1500-0075X2

VMM 1500-0075X2VDSS = 75 VDual PowerID25 = 1560 AMOSFET ModuleRDS(on) = 0.38 mPhaseleg Configuration113103291889 111102FeaturesMOSFET T1 + T2 Trench MOSFETsSymbol Conditions Maximum Ratings - low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - optimized intrinsic reverse diodeVGS 20 V package - low inductive current pathID25 TC = 2

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFN44N80

 

 
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