VMM1500-0075X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VMM1500-0075X2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1560 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1950 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 880 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00038 Ohm
Paquete / Cubierta: Y3LI
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VMM1500-0075X2
VMM1500-0075X2 Datasheet (PDF)
vmm1500-0075x2.pdf
VMM 1500-0075X2VDSS = 75 VDual PowerID25 = 1560 AMOSFET ModuleRDS(on) = 0.38 mPhaseleg Configuration113103291889 111102FeaturesMOSFET T1 + T2 Trench MOSFETsSymbol Conditions Maximum Ratings - low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - optimized intrinsic reverse diodeVGS 20 V package - low inductive current pathID25 TC = 2
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