3SK63 Todos los transistores

 

3SK63 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK63
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 9 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.03 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 200 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO72

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3SK63 Datasheet (PDF)

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