BLF521 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLF521

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12.5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: SOT172D

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BLF521 datasheet

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BLF521

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D079 BLF521 UHF power MOS transistor Product specification 2003 Sep 02 Supersedes data of 1998 Jan 07 Philips Semiconductors Product specification UHF power MOS transistor BLF521 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain ook, halfpage Easy power control 1 Gold metallization Good thermal stability d 2 3 Withstands full

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BLF521

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF521 UHF power MOS transistor November 1992 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power MOS transistor BLF521 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain ook, halfpage 1 Easy power control Gold metallization Good thermal stability d 2 3 Withstands full load mismatch g Designed for bro

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BLF521

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF522 UHF power MOS transistor September 1992 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power MOS transistor BLF522 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control halfpage Gold metallization Good thermal stability d Withstands full load mismatch 1 2 Designed for broadband ope

Otros transistores... BLF248, BLF278, BLF346, BLF368, BLF369, BLF3G21-30, BLF3G21-6, BLF404, IRFZ24N, BLF542, BLF544, BLF546, BLF548, BLF571, BLF573, BLF573S, BLF574