BLF521 Todos los transistores

 

BLF521 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLF521
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT172D
 

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BLF521 Datasheet (PDF)

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BLF521

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D079BLF521UHF power MOS transistorProduct specification 2003 Sep 02Supersedes data of 1998 Jan 07Philips Semiconductors Product specificationUHF power MOS transistor BLF521FEATURES PIN CONFIGURATION High power gainook, halfpage Easy power control1 Gold metallization Good thermal stabilityd2 3 Withstands full

 ..2. Size:71K  philips
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BLF521

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLF521UHF power MOS transistorNovember 1992Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power MOS transistor BLF521FEATURES PIN CONFIGURATION High power gainook, halfpage1 Easy power control Gold metallization Good thermal stability d2 3 Withstands full load mismatchg Designed for bro

 9.1. Size:71K  philips
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BLF521

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLF522UHF power MOS transistorSeptember 1992Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power MOS transistor BLF522FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power controlhalfpage Gold metallization Good thermal stabilityd Withstands full load mismatch 1 2 Designed for broadband ope

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