3SK80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.05 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 200 Ohm
Paquete / Cubierta: MACROX
Otros transistores... 3SK74M , 3SK76 , 3SK77 , 3SK77BL , 3SK77GR , 3SK77Y , 3SK78 , 3SK79 , IRF530N , 3SK81 , 3SK82 , 3SK83 , 3SK85 , 3SK87 , 3SK87AK , 3SK87AL , 3SK88 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: NCES120R018T4 | NCES120P075T4 | NCES120P035T4 | NCES075R026T4 | NCES075R026T | NCEP60ND60G | NCEP60ND30AG | NCEP40T14A | NCEP40ND80G | NCEP1580F | NCEP023NH85GU | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30GU | NCEP015NH30AQU | NCEP015NH30AGU