BSP230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSP230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.55 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 17 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSP230

BSP230 Datasheet (PDF)

..1. Size:78K philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP230P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1997 Jun 17Product specificationSupersedes data of 1995 Apr 07File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSP230vertical D-MOS transistorFEATURES Direct interface to C-MOS, TTL, etc.handbook, halfpage4

..2. Size:212K nxp
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Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

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SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETBSP230 (KSP230)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features VDS (V) =-300V ID =-0.21 A (VGS =-10V)1 2 3 RDS(ON) 17 (VGS =-10V) High-speed switching0.250D2.30 (typ)Gauge Plane1.Gate 2.DrainG0.700.13.Source4.60 (typ) 4.DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating U

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Liste

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